Ugrás a tartalomhoz

Fájl:Silicon dislocation orientation 111 mag 500x 2.png

Az oldal más nyelven nem érhető el.
A Wikipédiából, a szabad enciklopédiából

Silicon_dislocation_orientation_111_mag_500x_2.png (768 × 576 képpont, fájlméret: 574 KB, MIME-típus: image/png)

Összefoglaló

Leírás

Title: Dislocation in Si crystal, orientation 111

  • Desc: Image of dislocation in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of the dislocation.
  • Author: Twisp
  • Date: 24.08.2005
Dátum 2005. szeptember 13. (eredeti feltöltésének dátuma)
Forrás Nincs megadva géppel olvasható forrás. Feltételezhetően saját munka (a szerzői jogi adatok alapján).
Szerző Nincs megadva géppel olvasható szerző. Feltételezhetően Twisp (a szerzői jogi adatok alapján).

Licenc

Public domain Én, a szerző, ezt a művemet ezennel közkinccsé nyilvánítom. Ez a világ minden részén érvényes.
Egyes országokban ez jogilag nem lehetséges. Ha így van, akkor:
Jogot adok bárkinek, hogy bármilyen célból, feltétel nélkül használhassa ezt a fájlt, kivéve a törvény által kötelezően előírt feltételeket.

Képaláírások

Adj meg egy egysoros magyarázatot arról, hogy mit mutat be ez a fájl

A fájl által ábrázolt elemek

mű tárgya

13. szeptember 2005

Fájltörténet

Kattints egy időpontra, hogy a fájl akkori állapotát láthasd.

Dátum/időBélyegképFelbontásFeltöltőMegjegyzés
aktuális2005. szeptember 13., 01:17Bélyegkép a 2005. szeptember 13., 01:17-kori változatról768 × 576 (574 KB)Twisp* Title: Dislocation in Si crystal, orientation 111 * Desc: Image of dislocation in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of the dislocation. * Auth

Az alábbi lap használja ezt a fájlt:

Globális fájlhasználat

A következő wikik használják ezt a fájlt: