Fájl:HEMT-band structure scheme-en.svg
Ennek a(z) SVG fájlnak ezen PNG formátumú előnézete: 480 × 370 képpont. További felbontások: 311 × 240 képpont | 623 × 480 képpont | 996 × 768 képpont | 1 280 × 987 képpont | 2 560 × 1 973 képpont.
Eredeti fájl (SVG fájl, névlegesen 480 × 370 képpont, fájlméret: 19 KB)
|
Ez a fájl a Wikimedia Commonsból származik. Az alább látható leírás az ottani dokumentációjának másolata. A Commons projekt szabad licencű kép- és multimédiatár. Segíts te is az építésében! |
| Leírás |
English: Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode Deutsch: Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor (HEMT), dargestellt ist der Verlauf unter der Gate-Elektrode |
| Dátum | (UTC) |
| Forrás | |
| Szerző |
|
.svg){kind=link}
Ez a fájl a Creative Commons Nevezd meg! – Így add tovább! 3.0 Unported licenc alapján használható fel.
- A következőket teheted a művel:
- megoszthatod – szabadon másolhatod, terjesztheted, bemutathatod és előadhatod a művet
- feldolgozhatod – származékos műveket hozhatsz létre
- Az alábbi feltételekkel:
- Nevezd meg! – A szerzőt megfelelően fel kell tüntetned, hivatkozást kell létrehoznod a licencre és jelezned kell, ha a művön változtatást hajtottál végre. Ezt bármilyen észszerű módon megteheted, kivéve oly módon, ami azt sugallná hogy a jogosult támogat téged vagy a felhasználásod körülményeit.
- Így add tovább! – Ha megváltoztatod, átalakítod, feldolgozod ezt a művet, a közreműködésedet csak az eredetivel megegyező vagy hasonló licenc alatt terjesztheted.
Eredeti feltöltési napló
This image is a derivative work of the following images:
- File:High_Electron_MobilityTransistor_-_electron_energy_band_structure_(DE).svg licensed with PD-self
- 2008-06-17T11:17:31Z Cepheiden 480x370 (29105 Bytes) {{Information |Description={{en|1=Electron energy band structure of a high electron mobility transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode }} {{de|1=Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor
Uploaded with derivativeFX
Fájltörténet
Kattints egy időpontra, hogy a fájl akkori állapotát láthasd.
| Dátum/idő | Bélyegkép | Felbontás | Feltöltő | Megjegyzés | |
|---|---|---|---|---|---|
| aktuális | 2018. december 19., 06:31 | | 480 × 370 (19 KB) | Hamad Spider | Corrected the overlap of the "r" and ")" characters in "(spacer)" |
| 2016. január 19., 18:11 |  | 480 × 370 (17 KB) | Heron | spelling correction: two dimentional --> two-dimensional | |
| 2009. augusztus 27., 00:44 |  | 480 × 370 (42 KB) | Sfu | correct | |
| 2009. augusztus 27., 00:37 |  | 480 × 370 (42 KB) | Sfu | {{Information |Description={{en|1=Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode }} {{de|1=Energiebandstruktur eines "High electron mobility" |
Fájlhasználat
Az alábbi lapok használják ezt a fájlt:
Globális fájlhasználat
A következő wikik használják ezt a fájlt:
- Használata itt: ca.wikipedia.org
- Használata itt: de.wikipedia.org
- Használata itt: en.wikipedia.org
- Használata itt: es.wikipedia.org
- Használata itt: fa.wikipedia.org
- Használata itt: it.wikipedia.org
- Használata itt: ja.wikipedia.org
- Használata itt: tr.wikipedia.org
- Használata itt: vi.wikipedia.org
- Használata itt: zh.wikipedia.org
